敵の誘導を固定するとおおよそ同じ弾幕が飛んできます。初回は画面右に誘導するのがお勧めです。
左に誘導した場合は画面中央の自機近くをレーザーが走り、なおかつ角度の強い弾がふえ、結界中などのグレイズ量が減るでしょう。
右に誘導した後は自然に避けているだけでいいと思います。
ループラストの弾が一番多くなるところでは画面中央にくるレーザーの中に入ることができます(いわゆる中避け)。詳しくは結界のところで説明します。
基本的に結界終了の無敵時間を使って脱出することが多いですが無敵を使わないでも脱出することができます。
安地は狭いですがループラストに限り完全な固定弾が来るので、場所さえ理解すれば被弾要因は操作精度だけになります。
全部中に入ればスペルカード300万を楽に超えます。なお、最後中で撃破すると若干弾消しが安くなるようです。
また、開幕時にはレティの左上(左側の肩の左上付近)に居座ると弾源グレイズが出来て結構な量のグレイズが出来ます。
SCB300万だけであれば開幕のこれをやって、最後までしっかりグレイズできると中避けいらずで届いてしまいます。
また、ここのグレイズ量が多いので弾源グレイズと共に結界を発動させる選択もあります。
通常時は下に飛んでくるレーザーの2本目にあわせて発動させましょう。弾幕はおおよそ固定なので桜はあまりぶれません。
レーザーへの接触時間、鱗弾へのグレイズどちらも桜の伸びに直結します。
中避け時は下に飛んでくるレーザー1本目にあわせて発動させます。ループ最後に真ん中にあわせ一気に上がりレーザーの来る内側へ飛び込みます。
飛び込みは見た目以上に深く飛び込め、逆に飛び込みが浅いとレーザーに下から撥ねられます。
一般的にボスの少し右側に飛び込み、その後中央少し右への安地(図参照)へと位置修正を行います。ここを高速で乗り切ると桜が高くなってきます。腕と相談。
結界終了をきちんと待ってから無敵を使って下に一気に抜けます。焦ると割れます。1本目の発動を早めにすると早めに結界が終わるので気分は楽になりますがその分安くなります。
中避けは無敵利用前提のように書いていますが、本来安地の場所から下に小さくちょん避けを繰り返していると当たりません。
これは結界時以外の中避けでの動きですが、もちろん結界中でも利用できます。桜の伸びはあまり変わらないような印象です。
発動タイミングは外避けと同タイミングが良いでしょう。アクロバティックな動きですが概要にも書いたとおり操作精度だけが被弾要素になるのでそこそこ安定させることが可能です。
開幕避けはレティの頭のすぐ左付近に位置取り、弾が発射されたら(勝手に)グレイズした後、時計回りに素早く脱出しながら弾列をなぞっていきます。反時計回りでも脱出することが出来ますがこちらは安いです。
その後は適当に画面内にある弾にグレイズすることになります。
開幕に結界を間に合わせないといけないので、利用できるのは桜+にかなり余裕がある機体に限られます。時符が筆頭候補でしょう。魔符や夢符でも無理をすれば可能です。
やつの判定は肩までにあるので位置あわせが若干シビアです。下すぎたら一瞬で1面開始まで寄り切られます。
レーザー飛び込み |
安置参考、この弾に当たらない程度に右に寄る感じ |
見た目どおりループの終わりのタイミングで。左右から斜めレーザーが飛んでくるころに撃破したいところです。
360万台まで弾消しボーナスが出ます。ここの弾消しは2開幕の緑結界地帯が成功するかにかかってくることが多いので、しっかりタイミングと体力調整をつかんでおきましょう。
個人的に最下段より前に出たほうがいい弾消しの値が出る気がします。